Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMJ70H1D3SI3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4260528Obraz DMJ70H1D3SI3.Diodes Incorporated

DMJ70H1D3SI3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.25
75+
$0.998
150+
$0.873
525+
$0.677
1050+
$0.535
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMJ70H1D3SI3
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    DMJ70H1D3SI3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-251
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    41W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Inne nazwy
    DMJ70H1D3SI3-ND
    DMJ70H1D3SI3DI
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    7 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    351pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    13.9nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    700V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 700V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4.6A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMJ70H1D3SI3”.
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Opis: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Producenci: Skyworks Solutions, Inc.
Na stanie
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
IRF7490PBF

IRF7490PBF

Opis: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRL8113STRLPBF

IRL8113STRLPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
R6020ENX

R6020ENX

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRLH6224TR2PBF

IRLH6224TR2PBF

Opis: MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Opis: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FQB5N20LTM

FQB5N20LTM

Opis: MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Opis: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SPD18P06PGBTMA1

SPD18P06PGBTMA1

Opis: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Opis: MOSFET N-CH TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
IXTT30N50P

IXTT30N50P

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.