Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMJ70H1D4SV3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5168523

DMJ70H1D4SV3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
75+
$0.966
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMJ70H1D4SV3
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-251
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.5 Ohm @ 1A, 10V
  • Strata mocy (max)
    78W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    342pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    7.5nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    700V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 700V 5A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-251
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    5A (Tc)
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
BUK9875-100A,115

BUK9875-100A,115

Opis: MOSFET N-CH 100V 7A SOT-223

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Opis: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Opis: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Producenci: Skyworks Solutions, Inc.
Na stanie
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Opis: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
NVTJD4401NT1G

NVTJD4401NT1G

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-88

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
BSC016N06NSATMA1

BSC016N06NSATMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
NID9N05ACLT4G

NID9N05ACLT4G

Opis: MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
STB75NF75T4

STB75NF75T4

Opis: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Opis: MOSFET N-CH TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
R6011ENJTL

R6011ENJTL

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A LPT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
IPZ60R099P6FKSA1

IPZ60R099P6FKSA1

Opis: MOSFET N-CH 600V TO247-4

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
IRL520LPBF

IRL520LPBF

Opis: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść