Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMJ70H1D0SV3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6323433

DMJ70H1D0SV3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
75+
$1.24
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMJ70H1D0SV3
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-251
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    104W (Tc)
  • Package / Case
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    420pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    12.8nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    700V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 700V 6A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-251
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Opis: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
NDD60N360U1-1G

NDD60N360U1-1G

Opis: MOSFET N-CH 600V 114A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
GP1M008A025PG

GP1M008A025PG

Opis: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Opis: MOSFET N-CH TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Opis: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
IRFI9Z14G

IRFI9Z14G

Opis: MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
BSP300L6327HUSA1

BSP300L6327HUSA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
STE40NK90ZD

STE40NK90ZD

Opis: MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Opis: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Producenci: Skyworks Solutions, Inc.
Na stanie
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
SSM3J325F,LF

SSM3J325F,LF

Opis: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
US5U29TR

US5U29TR

Opis: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść