Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMJ70H601SV3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2504772

DMJ70H601SV3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
75+
$1.466
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMJ70H601SV3
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    DMJ70H601SV3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-251
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    600 mOhm @ 2.1A, 10V
  • Strata mocy (max)
    125W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    686pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    20.9nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    700V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 700V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMJ70H601SV3”.
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDMS86101

FDMS86101

Opis: MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF9393TRPBF

IRF9393TRPBF

Opis: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRFR7440PBF

IRFR7440PBF

Opis: MOSFET N CH 40V 90A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Opis: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Producenci: Skyworks Solutions, Inc.
Na stanie
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
CSD17309Q3

CSD17309Q3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A 8SON

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
IPI11N60C3AAKSA2

IPI11N60C3AAKSA2

Opis: MOSFET N-CH I2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SIA440DJ-T1-GE3

SIA440DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 12A SC-70

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Opis: MOSFET N-CH TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Opis: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Opis: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Opis: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
SSM3K16CT,L3F

SSM3K16CT,L3F

Opis: X34 PB-F CST3 FET (LF) TRANSISTO

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
ZVN4206AVSTOA

ZVN4206AVSTOA

Opis: MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.