Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SSU1N60BTU-WS
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
915327Obraz SSU1N60BTU-WS.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SSU1N60BTU-WS

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
5040+
$0.268
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SSU1N60BTU-WS
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SSU1N60BTU-WS.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    I-PAK
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    12 Ohm @ 450mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta), 28W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Inne nazwy
    SSU1N60BTU_WS
    SSU1N60BTU_WS-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    215pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    7.7nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 900mA (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    900mA (Tc)

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SSU1N60BTU-WS”.
2N7002-E3

2N7002-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFR3910CPBF

IRFR3910CPBF

Opis: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STL11N65M2

STL11N65M2

Opis: MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
AON6413

AON6413

Opis: MOSFET P-CH 30V 22A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
STD9HN65M2

STD9HN65M2

Opis: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
2N6660JTXL02

2N6660JTXL02

Opis: MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SSUH-003T-P0.15

SSUH-003T-P0.15

Opis: CONTACT

Producenci: JST
Na stanie
RFQ
2SK2845(TE16L1,Q)

2SK2845(TE16L1,Q)

Opis: MOSFET N-CH 900V 1A DP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SSU1N50BTU

SSU1N50BTU

Opis: MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF710S

IRF710S

Opis: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
MCQ4435-TP

MCQ4435-TP

Opis: P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
SI4688DY-T1-GE3

SI4688DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
NDF05N50ZG

NDF05N50ZG

Opis: MOSFET N-CH 500V TO-220FP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STB80NF55L-08-1

STB80NF55L-08-1

Opis: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IXFA180N10T2

IXFA180N10T2

Opis: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
TSM180P03CS RLG

TSM180P03CS RLG

Opis: MOSFET P-CHANNEL 30V 10A 8SOP

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
TK65E10N1,S1X

TK65E10N1,S1X

Opis: MOSFET N CH 100V 148A TO220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
BSC340N08NS3GATMA1

BSC340N08NS3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRF610STRLPBF

IRF610STRLPBF

Opis: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SSURHD8560W1T4G

SSURHD8560W1T4G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.