Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > 2SK2845(TE16L1,Q)
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2969250

2SK2845(TE16L1,Q)

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    2SK2845(TE16L1,Q)
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 900V 1A DP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    9 Ohm @ 500mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    40W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    350pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    900V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 900V 1A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount DP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1A (Ta)
2SK2847(F)

2SK2847(F)

Opis: MOSFET N-CH 900V 8A TO-3PN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK2887TL

2SK2887TL

Opis: MOSFET N-CH 200V 3A DPAK

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
2SK2715TL

2SK2715TL

Opis: MOSFET N-CH 500V 2A DPAK

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
2SK2719(F)

2SK2719(F)

Opis: MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK2744(F)

2SK2744(F)

Opis: MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK2916(F)

2SK2916(F)

Opis: MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK2713

2SK2713

Opis: MOSFET N-CH 450V 5A TO-220FN

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
2SK2917(F)

2SK2917(F)

Opis: MOSFET N-CH 500V 18A TO-3PN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK2848

2SK2848

Opis: MOSFET N-CH 600V TO-220F

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
2SK2854(TE12L,F)

2SK2854(TE12L,F)

Opis: MOSFET RF N CH 10V 500MA

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK2803

2SK2803

Opis: MOSFET N-CH 450V TO-220F

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
2SK2701A

2SK2701A

Opis: MOSFET N-CH 450V TO-220F

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
2SK2866(F)

2SK2866(F)

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK2740

2SK2740

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
2SK275100L

2SK275100L

Opis: JFET N-CH 10MA 200MW MINI-3

Producenci: Panasonic
Na stanie
2SK2593JQL

2SK2593JQL

Opis: JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3

Producenci: Panasonic
Na stanie
2SK2883(TE24L,Q)

2SK2883(TE24L,Q)

Opis: MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK2962(T6CANO,A,F

2SK2962(T6CANO,A,F

Opis: MOSFET N-CH

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
2SK2943

2SK2943

Opis: MOSFET N-CH 900V TO-220F

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
2SK2731T146

2SK2731T146

Opis: MOSFET N-CH 30V 200MA SOT-346

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść