Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TK65E10N1,S1X
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5194516Obraz TK65E10N1,S1X.Toshiba Semiconductor and Storage

TK65E10N1,S1X

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$3.06
50+
$2.467
100+
$2.22
500+
$1.727
1000+
$1.431
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TK65E10N1,S1X
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N CH 100V 148A TO220
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TK65E10N1,S1X.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220
  • Seria
    U-MOSVIII-H
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    4.8 mOhm @ 32.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    192W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • Inne nazwy
    TK65E10N1,S1X(S
    TK65E10N1S1X
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    5400pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    81nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 148A (Ta) 192W (Tc) Through Hole TO-220
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    148A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TK65E10N1,S1X”.
TK65S04N1L,LQ

TK65S04N1L,LQ

Opis: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6A60D(STA4,Q,M)

TK6A60D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6A53D(STA4,Q,M)

TK6A53D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 525V 6A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK65G10N1,RQ

TK65G10N1,RQ

Opis: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6A45DA(STA4,Q,M)

TK6A45DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 450V 5.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6A55DA(STA4,Q,M)

TK6A55DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 550V 5.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6A50D(STA4,Q,M)

TK6A50D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 500V 6A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK650A60F,S4X

TK650A60F,S4X

Opis: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK60D08J1(Q)

TK60D08J1(Q)

Opis: MOSFET N-CH 75V 60A TO220W

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6A65D(STA4,Q,M)

TK6A65D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK65A10N1,S4X

TK65A10N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 100V 65A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK65S04K3L(T6L1,NQ

TK65S04K3L(T6L1,NQ

Opis: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK60S06K3L(T6L1,NQ

TK60S06K3L(T6L1,NQ

Opis: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK60P03M1,RQ(S

TK60P03M1,RQ(S

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK60E08K3,S1X(S

TK60E08K3,S1X(S

Opis: MOSFET N-CH 75V 60A TO-220AB

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK62N60W,S1VF

TK62N60W,S1VF

Opis: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6A60W,S4VX

TK6A60W,S4VX

Opis: MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK62J60W,S1VQ

TK62J60W,S1VQ

Opis: MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6767

TK6767

Opis: SAFETY TAPE KIT-CONSUMER VERSION

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
TK62N60X,S1F

TK62N60X,S1F

Opis: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.