Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SSU1N50BTU
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5097677Obraz SSU1N50BTU.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SSU1N50BTU

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
5040+
$0.47
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SSU1N50BTU
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SSU1N50BTU.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-251 (IPAK)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    5.3 Ohm @ 650mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.5W (Ta), 26W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    340pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    520V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 520V 1.3A (Tc) 2.5W (Ta), 26W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.3A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SSU1N50BTU”.
IPD50R380CEAUMA1

IPD50R380CEAUMA1

Opis: MOSFET NCH 500V 14.1A TO252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SSURHD8560W1T4G

SSURHD8560W1T4G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STD120N4F6

STD120N4F6

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
STB12NM60N-1

STB12NM60N-1

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IRFI740BTU

IRFI740BTU

Opis: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
TSM070NB04LCR RLG

TSM070NB04LCR RLG

Opis: MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
PSMN2R1-60CSJ

PSMN2R1-60CSJ

Opis: MOSFET N-CH 60V D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
SSU1N60BTU-WS

SSU1N60BTU-WS

Opis: MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
AOL1432A

AOL1432A

Opis: MOSFET N-CH 25V 12A 8ULTRASO

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
FQU11P06TU

FQU11P06TU

Opis: MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPD14N06S280ATMA1

IPD14N06S280ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
AON6508_101

AON6508_101

Opis: MOSFET N-CH DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
FDS2070N3

FDS2070N3

Opis: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQI5N30TU

FQI5N30TU

Opis: MOSFET N-CH 300V 5.4A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BTS247ZAKSA1

BTS247ZAKSA1

Opis: MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FQAF5N90

FQAF5N90

Opis: MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-3PF

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMS5P02R2SG

NTMS5P02R2SG

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SSUH-003T-P0.15

SSUH-003T-P0.15

Opis: CONTACT

Producenci: JST
Na stanie
RFQ
ZXM62N03E6TA

ZXM62N03E6TA

Opis: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
IRF6720S2TR1PBF

IRF6720S2TR1PBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.