Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IPD14N06S280ATMA1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4449899Obraz IPD14N06S280ATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD14N06S280ATMA1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IPD14N06S280ATMA1
  • Producent / marka
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IPD14N06S280ATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 14µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PG-TO252-3
  • Seria
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    80 mOhm @ 7A, 10V
  • Strata mocy (max)
    47W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    IPD14N06S2-80
    IPD14N06S2-80-ND
    IPD14N06S280ATMA1TR
    SP000252161
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    293pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    55V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 55V 17A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    17A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IPD14N06S280ATMA1”.
IPD200N15N3GATMA1

IPD200N15N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD135N03LGXT

IPD135N03LGXT

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD135N08N3GBTMA1

IPD135N08N3GBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD12CN10NGBUMA1

IPD12CN10NGBUMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD13N03LA G

IPD13N03LA G

Opis: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD135N03LGBTMA1

IPD135N03LGBTMA1

Opis: LV POWER MOS

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD14N06S280ATMA2

IPD14N06S280ATMA2

Opis: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD135N03LGATMA1

IPD135N03LGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD12CNE8N G

IPD12CNE8N G

Opis: MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD170N04NGBTMA1

IPD170N04NGBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD12N03LB G

IPD12N03LB G

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A TO-252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD180N10N3GBTMA1

IPD180N10N3GBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD135N08N3GATMA1

IPD135N08N3GATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 45A

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD144N06NGBTMA1

IPD144N06NGBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD180N10N3GATMA1

IPD180N10N3GATMA1

Opis: MV POWER MOS

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD15N06S2L64ATMA1

IPD15N06S2L64ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD16CN10N G

IPD16CN10N G

Opis: MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD160N04LGBTMA1

IPD160N04LGBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD15N06S2L64ATMA2

IPD15N06S2L64ATMA2

Opis: N-CHANNEL_55/60V

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPD16CNE8N G

IPD16CNE8N G

Opis: MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.