Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FCI25N60N-F102
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1532430Obraz FCI25N60N-F102.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCI25N60N-F102

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$7.79
10+
$6.958
100+
$5.705
500+
$4.62
1000+
$3.896
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FCI25N60N-F102
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FCI25N60N-F102.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    I2PAK (TO-262)
  • Seria
    SupreMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    125 mOhm @ 12.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    216W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Inne nazwy
    FCI25N60N_F102
    FCI25N60N_F102-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3352pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    74nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FCI25N60N-F102”.
IRFZ48NL

IRFZ48NL

Opis: MOSFET N-CH 55V 64A TO-262

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RUE002N05TL

RUE002N05TL

Opis: MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPB160N08S403ATMA1

IPB160N08S403ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
NTMFS4C56NT3G

NTMFS4C56NT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
PH2030AL,115

PH2030AL,115

Opis: MOSFET N-CH 30V LFPAK

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
FDMS86500L

FDMS86500L

Opis: MOSFET N CH 60V 25A 8-PQFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STFU24N60M2

STFU24N60M2

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO-220FP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
BUK7230-55A,118

BUK7230-55A,118

Opis: MOSFET N-CH 55V 38A DPAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
STF19NF20

STF19NF20

Opis: MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FP

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
FCI25N60N

FCI25N60N

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCI7N60

FCI7N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQD4P25TF

FQD4P25TF

Opis: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
APT6013JLL

APT6013JLL

Opis: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
IXTP200N085T

IXTP200N085T

Opis: MOSFET N-CH 85V 200A TO-220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IPU09N03LA G

IPU09N03LA G

Opis: MOSFET N-CH 25V 50A TO-251

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
2SJ600-Z-E1-AZ

2SJ600-Z-E1-AZ

Opis: TRANSISTOR

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
IRF6892STRPBF

IRF6892STRPBF

Opis: MOSFET N CH 25V 28A S3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FK8V03030L

FK8V03030L

Opis: MOSFET N CH 33V 12A WMINI8

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
FDMA530PZ

FDMA530PZ

Opis: MOSFET P-CH 30V 6.8A MLP2X2

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCI11N60

FCI11N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.