Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT6013JLL
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2694496Obraz APT6013JLL.Microsemi Corporation

APT6013JLL

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$37.72
10+
$34.89
100+
$29.703
250+
$27.346
500+
$25.932
1000+
$24.517
2500+
$23.763
5000+
$23.103
10000+
$22.631
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT6013JLL
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Test
    5630pF @ 25V
  • Napięcie - Podział
    ISOTOP®
  • VGS (th) (Max) @ Id
    130 mOhm @ 19.5A, 10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    POWER MOS 7®
  • Stan RoHS
    Tube
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    39A
  • Polaryzacja
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    APT6013JLL
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    130nC @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    5V @ 2.5mA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 600V 39A 460W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    600V
  • Stosunek pojemności
    460W (Tc)
APT6040BNG

APT6040BNG

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60D100LCTG

APT60D100LCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60D100BG

APT60D100BG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT58M80J

APT58M80J

Opis: MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5F100K

APT5F100K

Opis: MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT6017LFLLG

APT6017LFLLG

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5SM170B

APT5SM170B

Opis: MOSFET N-CH 700V TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT58M50JCU3

APT58M50JCU3

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60D100SG

APT60D100SG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 60A D3

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT60D120BG

APT60D120BG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT58M50JCU2

APT58M50JCU2

Opis: MOSFET N-CH 500V 59A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT58MJ50J

APT58MJ50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT6030BN

APT6030BN

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5SM170S

APT5SM170S

Opis: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT58M50JU3

APT58M50JU3

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT6013LLLG

APT6013LLLG

Opis: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT6017LLLG

APT6017LLLG

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT6040BN

APT6040BN

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT58M50JU2

APT58M50JU2

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT6010B2LLG

APT6010B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść