Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT5SM170S
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3494099

APT5SM170S

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT5SM170S
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 700V D3PAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.2V @ 500µA
  • Vgs (maks.)
    +25V, -10V
  • Technologia
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D3Pak
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.2 Ohm @ 2A, 20V
  • Strata mocy (max)
    52W (Tc)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    325pF @ 1000V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    29nC @ 20V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1700V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1700V 4.6A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    4.6A (Tc)
APT58M50JCU3

APT58M50JCU3

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT58F50J

APT58F50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT6017LFLLG

APT6017LFLLG

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5SM170B

APT5SM170B

Opis: MOSFET N-CH 700V TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT58M50JU3

APT58M50JU3

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5F100K

APT5F100K

Opis: MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT58M50J

APT58M50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT6013JLL

APT6013JLL

Opis: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT58M50JU2

APT58M50JU2

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT58MJ50J

APT58MJ50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60D100BG

APT60D100BG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60D100LCTG

APT60D100LCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT6030BN

APT6030BN

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT6040BNG

APT6040BNG

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT6017LLLG

APT6017LLLG

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT6010B2LLG

APT6010B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT58M50JCU2

APT58M50JCU2

Opis: MOSFET N-CH 500V 59A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT58M80J

APT58M80J

Opis: MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT6013LLLG

APT6013LLLG

Opis: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT6040BN

APT6040BN

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść