Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT6017LLLG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5050784Obraz APT6017LLLG.Microsemi Corporation

APT6017LLLG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$20.08
25+
$16.883
100+
$15.514
250+
$14.145
500+
$13.232
1000+
$12.137
2500+
$11.635
5000+
$11.316
10000+
$10.951
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT6017LLLG
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    APT6017LLLG.pdf
  • Napięcie - Test
    4500pF @ 25V
  • Napięcie - Podział
    TO-264 [L]
  • VGS (th) (Max) @ Id
    170 mOhm @ 17.5A, 10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    POWER MOS 7®
  • Stan RoHS
    Tube
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    35A (Tc)
  • Polaryzacja
    TO-264-3, TO-264AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    APT6017LLLG
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    100nC @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    5V @ 2.5mA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 600V 35A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    600V
  • Stosunek pojemności
    500W (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT6017LLLG”.
APT6030BN

APT6030BN

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT58M80J

APT58M80J

Opis: MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60D120SG

APT60D120SG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT5SM170S

APT5SM170S

Opis: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60D100LCTG

APT60D100LCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60D100BG

APT60D100BG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60D20BG

APT60D20BG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 60A TO247

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT60D120BG

APT60D120BG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT6010B2LLG

APT6010B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT6013JLL

APT6013JLL

Opis: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT6013LLLG

APT6013LLLG

Opis: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT5SM170B

APT5SM170B

Opis: MOSFET N-CH 700V TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT58M50JU3

APT58M50JU3

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT58MJ50J

APT58MJ50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT6040BN

APT6040BN

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT5F100K

APT5F100K

Opis: MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60D20LCTG

APT60D20LCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 200V 60A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60D100SG

APT60D100SG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 60A D3

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT6017LFLLG

APT6017LFLLG

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT6040BNG

APT6040BNG

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.