Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT6040BN
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5280018

APT6040BN

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT6040BN
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    APT6040BN.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247AD
  • Seria
    POWER MOS IV®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    400 mOhm @ 9A, 10V
  • Strata mocy (max)
    310W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2950pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    130nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 18A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    18A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT6040BN”.
APT6040BNG

APT6040BNG

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT5SM170S

APT5SM170S

Opis: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT6013JLL

APT6013JLL

Opis: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT60D120BG

APT60D120BG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60D20BG

APT60D20BG

Opis: DIODE GEN PURP 200V 60A TO247

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT5F100K

APT5F100K

Opis: MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT6010B2LLG

APT6010B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT6017LFLLG

APT6017LFLLG

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT6017LLLG

APT6017LLLG

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT60D20LCTG

APT60D20LCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 200V 60A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60D100BG

APT60D100BG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60D30LCTG

APT60D30LCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 300V 60A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60D100SG

APT60D100SG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 60A D3

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT60D120SG

APT60D120SG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT6030BN

APT6030BN

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60D100LCTG

APT60D100LCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60D30BG

APT60D30BG

Opis: DIODE GEN PURP 300V 60A TO247

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT58MJ50J

APT58MJ50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT5SM170B

APT5SM170B

Opis: MOSFET N-CH 700V TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT6013LLLG

APT6013LLLG

Opis: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.