Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FCI11N60
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2250315

FCI11N60

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FCI11N60
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FCI11N60.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    I2PAK (TO-262)
  • Seria
    SuperFET™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    380 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    125W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1490pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    52nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FCI11N60”.
FCI7N60

FCI7N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS5682

FDS5682

Opis: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
MIC94051YM4-TR

MIC94051YM4-TR

Opis: MOSFET P-CH 6V 1.8A 8MSOP

Producenci: Micrel / Microchip Technology
Na stanie
RFQ
CSD18510Q5B

CSD18510Q5B

Opis: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
FCI25N60N

FCI25N60N

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STH12N120K5-2

STH12N120K5-2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
AOTF5N100

AOTF5N100

Opis: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220F

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
IRLU024ZPBF

IRLU024ZPBF

Opis: MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
PHK5NQ15T,518

PHK5NQ15T,518

Opis: MOSFET N-CH 150V 5A SOT96-1

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
STP8N90K5

STP8N90K5

Opis: N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP.,

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
STP7LN80K5

STP7LN80K5

Opis: MOSFET N-CH 800V 5A TO-220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
STU1HN60K3

STU1HN60K3

Opis: MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
RDN050N20FU6

RDN050N20FU6

Opis: MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
TSM1NB60SCT A3

TSM1NB60SCT A3

Opis: MOSFET N-CH 600V TO92

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
DMP3056LDM-7

DMP3056LDM-7

Opis: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FDZ299P

FDZ299P

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
AUIRFS3004

AUIRFS3004

Opis: MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FCI25N60N-F102

FCI25N60N-F102

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SIPC07N50C3X1SA1

SIPC07N50C3X1SA1

Opis: TRANSISTOR N-CH

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRFR5410PBF

IRFR5410PBF

Opis: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.