Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FCI7N60
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5837604Obraz FCI7N60.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCI7N60

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$1.229
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FCI7N60
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FCI7N60.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    I2PAK (TO-262)
  • Seria
    SuperFET™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    600 mOhm @ 3.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    83W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    920pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 7A (Tc) 83W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    7A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FCI7N60”.
SPP15N60CFDXKSA1

SPP15N60CFDXKSA1

Opis: LOW POWER_LEGACY

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STH170N8F7-2

STH170N8F7-2

Opis: MOSFET N-CH 80V 120A

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IPB107N20NAATMA1

IPB107N20NAATMA1

Opis: MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IXFT80N085

IXFT80N085

Opis: MOSFET N-CH 85V 80A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
NTMFS4927NCT3G

NTMFS4927NCT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V 8SOFL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXTA80N075L2

IXTA80N075L2

Opis: MOSFET N-CH 75V 80A TO-263

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
EPC2023

EPC2023

Opis: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
2N7002BKW,115

2N7002BKW,115

Opis: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
FDU6612A

FDU6612A

Opis: MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NDUL03N150CG

NDUL03N150CG

Opis: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRLI520GPBF

IRLI520GPBF

Opis: MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
ZXM64P03XTC

ZXM64P03XTC

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FCI25N60N

FCI25N60N

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SIHP30N60AEL-GE3

SIHP30N60AEL-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FDMA8884

FDMA8884

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-MLP 2X2

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCI25N60N-F102

FCI25N60N-F102

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI4459BDY-T1-GE3

SI4459BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 30V SO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
AO3418_101

AO3418_101

Opis: MOSFET N-CH 30V SOT23

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
FCI11N60

FCI11N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
PMPB14XPX

PMPB14XPX

Opis: PMPB14XP/SOT1220/SOT1220

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.