Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIHS90N65E-E3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5769300Obraz SIHS90N65E-E3.Vishay Siliconix

SIHS90N65E-E3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$21.24
10+
$19.591
25+
$18.711
100+
$16.73
250+
$15.959
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIHS90N65E-E3
  • Producent / marka
    Vishay / Siliconix
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIHS90N65E-E3.pdf
  • Napięcie - Test
    11826pF @ 100V
  • Napięcie - Podział
    SUPER-247 (TO-274AA)
  • VGS (th) (Max) @ Id
    29 mOhm @ 45A, 10V
  • Vgs (maks.)
    10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Digi-Reel®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    87A (Tc)
  • Polaryzacja
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    SIHS90N65E-E3DKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Numer części producenta
    SIHS90N65E-E3
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    591nC @ 10V
  • Rodzaj IGBT
    ±30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 650V 87A (Tc) 625W (Tc) Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    650V
  • Stosunek pojemności
    625W (Tc)

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIHS90N65E-E3”.
SIHS20N50C-E3

SIHS20N50C-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP7N60E-E3

SIHP7N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU3N50D-E3

SIHU3N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU3N50DA-GE3

SIHU3N50DA-GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP6N40D-GE3

SIHP6N40D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP6N80E-GE3

SIHP6N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU2N80E-GE3

SIHU2N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU6N65E-GE3

SIHU6N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU6N62E-GE3

SIHU6N62E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 620V 6A TO-251

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU6N80E-GE3

SIHU6N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHS36N50D-E3

SIHS36N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP8N50D-E3

SIHP8N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP8N50D-GE3

SIHP8N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU5N50D-E3

SIHU5N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP7N60E-GE3

SIHP7N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Opis: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU5N50D-GE3

SIHU5N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP6N65E-GE3

SIHP6N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.