Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIHU3N50D-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5179655Obraz SIHU3N50D-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHU3N50D-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.387
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIHU3N50D-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.SIHU3N50D-GE3.pdf
    2.SIHU3N50D-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-251
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    69W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    175pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    500V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 500V 3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-251
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIHU3N50D-GE3”.
SIHU3N50D-E3

SIHU3N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHS36N50D-E3

SIHS36N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU5N50D-GE3

SIHU5N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU6N80E-GE3

SIHU6N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU6N65E-GE3

SIHU6N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Opis: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Producenci: Vishay Siliconix
Na stanie
RFQ
SIHP8N50D-E3

SIHP8N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHS20N50C-E3

SIHS20N50C-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU7N60E-E3

SIHU7N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP7N60E-E3

SIHP7N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHW23N60E-GE3

SIHW23N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU6N62E-GE3

SIHU6N62E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 620V 6A TO-251

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU2N80E-GE3

SIHU2N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU5N50D-E3

SIHU5N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU3N50DA-GE3

SIHU3N50DA-GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Opis: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP8N50D-GE3

SIHP8N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHP7N60E-GE3

SIHP7N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.