Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIHU6N80E-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5474281Obraz SIHU6N80E-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHU6N80E-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$2.69
10+
$2.428
100+
$1.951
500+
$1.517
1000+
$1.257
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIHU6N80E-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CHAN 800V TO-251
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIHU6N80E-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    IPAK (TO-251)
  • Seria
    E
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    940 mOhm @ 3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    78W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    827pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    5.4A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIHU6N80E-GE3”.
SIHU6N62E-GE3

SIHU6N62E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 620V 6A TO-251

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU5N50D-GE3

SIHU5N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU5N50D-E3

SIHU5N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU2N80E-GE3

SIHU2N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU6N65E-GE3

SIHU6N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHW23N60E-GE3

SIHW23N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHW33N60E-GE3

SIHW33N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU7N60E-E3

SIHU7N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Opis: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Producenci: Vishay Siliconix
Na stanie
RFQ
SIHW47N60E-GE3

SIHW47N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU3N50DA-GE3

SIHU3N50DA-GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHW47N65E-GE3

SIHW47N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHU3N50D-E3

SIHU3N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHW70N60EF-GE3

SIHW70N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHW61N65EF-GE3

SIHW61N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHW47N60EF-GE3

SIHW47N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHW30N60E-GE3

SIHW30N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.