Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TK39N60X,S1F
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5284396Obraz TK39N60X,S1F.Toshiba Semiconductor and Storage

TK39N60X,S1F

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$7.54
30+
$6.184
120+
$5.58
510+
$4.675
1020+
$4.072
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TK39N60X,S1F
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TK39N60X,S1F.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 1.9mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247
  • Seria
    DTMOSIV-H
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    65 mOhm @ 12.5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    270W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    TK39N60X,S1F(S
    TK39N60XS1F
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4100pF @ 300V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    85nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    Super Junction
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    38.8A (Ta)

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TK39N60X,S1F”.
TK3A65D(STA4,Q,M)

TK3A65D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK39A60W,S4VX

TK39A60W,S4VX

Opis: MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK3R1P04PL,RQ

TK3R1P04PL,RQ

Opis: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK35N65W5,S1F

TK35N65W5,S1F

Opis: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK3A65DA(STA4,QM)

TK3A65DA(STA4,QM)

Opis: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK3A60DA(STA4,Q,M)

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK39J60W,S1VQ

TK39J60W,S1VQ

Opis: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK3R1E04PL,S1X

TK3R1E04PL,S1X

Opis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK3P50D,RQ(S

TK3P50D,RQ(S

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK35E10K3(S1SS-Q)

TK35E10K3(S1SS-Q)

Opis: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK39N60W,S1VF

TK39N60W,S1VF

Opis: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK380A60Y,S4X

TK380A60Y,S4X

Opis: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK39N60W5,S1VF

TK39N60W5,S1VF

Opis: MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK380P60Y,RQ

TK380P60Y,RQ

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK380P65Y,RQ

TK380P65Y,RQ

Opis: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK35N65W,S1F

TK35N65W,S1F

Opis: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK35S04K3L(T6L1,NQ

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Opis: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK3R1A04PL,S4X

TK3R1A04PL,S4X

Opis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK39J60W5,S1VQ

TK39J60W5,S1VQ

Opis: MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK3A60DA(Q,M)

TK3A60DA(Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.