Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TK380A60Y,S4X
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6792835Obraz TK380A60Y,S4X.Toshiba Semiconductor and Storage

TK380A60Y,S4X

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.61
50+
$1.288
100+
$1.127
500+
$0.874
1000+
$0.69
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TK380A60Y,S4X
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TK380A60Y,S4X.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 360µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220SIS
  • Seria
    DTMOSV
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    380 mOhm @ 4.9A, 10V
  • Strata mocy (max)
    30W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3 Full Pack
  • Inne nazwy
    TK380A60Y,S4X(S
    TK380A60YS4X
    TK380A60YS4X(S
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    590pF @ 300V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 9.7A (Tc) 30W Through Hole TO-220SIS
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    9.7A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TK380A60Y,S4X”.
TK34E10N1,S1X

TK34E10N1,S1X

Opis: MOSFET N-CH 100V 75A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK35N65W5,S1F

TK35N65W5,S1F

Opis: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK39N60W5,S1VF

TK39N60W5,S1VF

Opis: MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK380P60Y,RQ

TK380P60Y,RQ

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK35A08N1,S4X

TK35A08N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 80V 35A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK39N60X,S1F

TK39N60X,S1F

Opis: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK35A65W5,S5X

TK35A65W5,S5X

Opis: MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK34A10N1,S4X

TK34A10N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK380P65Y,RQ

TK380P65Y,RQ

Opis: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK39A60W,S4VX

TK39A60W,S4VX

Opis: MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK35N65W,S1F

TK35N65W,S1F

Opis: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK35E08N1,S1X

TK35E08N1,S1X

Opis: MOSFET N-CH 80V 55A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK3A60DA(Q,M)

TK3A60DA(Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK35S04K3L(T6L1,NQ

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Opis: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK39N60W,S1VF

TK39N60W,S1VF

Opis: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK39J60W5,S1VQ

TK39J60W5,S1VQ

Opis: MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK39J60W,S1VQ

TK39J60W,S1VQ

Opis: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK35A65W,S5X

TK35A65W,S5X

Opis: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK3A60DA(STA4,Q,M)

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK35E10K3(S1SS-Q)

TK35E10K3(S1SS-Q)

Opis: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.