Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TK39J60W5,S1VQ

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

3459733

Obraz TK39J60W5,S1VQ.

Toshiba Semiconductor and Storage

TK39J60W5,S1VQ

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1+

$12.71

25+

$10.42

100+

$9.404

500+

$7.879

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

TK39J60W5,S1VQ
Producent / marka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

TK39J60W5,S1VQ.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3.7V @ 1.9mA
Vgs (maks.)

±30V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

TO-3P(N)
Seria

DTMOSIV
RDS (Max) @ ID, Vgs

65 mOhm @ 19.4A, 10V
Strata mocy (max)

270W (Tc)
Opakowania

Tube
Package / Case

TO-3P-3, SC-65-3
Inne nazwy

TK39J60W5,S1VQ(O
TK39J60W5S1VQ
temperatura robocza

150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

4100pF @ 300V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

135nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

Super Junction
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

600V
szczegółowy opis

N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

38.8A (Ta)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „TK39J60W5,S1VQ”.

TK3A60DA(STA4,Q,M)

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK39A60W,S4VX

Opis: MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK380P60Y,RQ

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK3A65DA(STA4,QM)

TK3A65DA(STA4,QM)

Opis: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK35N65W5,S1F

Opis: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK39J60W,S1VQ

Opis: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK39N60W,S1VF

Opis: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK35E08N1,S1X

Opis: MOSFET N-CH 80V 55A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK380A60Y,S4X

Opis: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK3P50D,RQ(S

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK3A65D(STA4,Q,M)

TK3A65D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK39N60X,S1F

Opis: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK3R1E04PL,S1X

Opis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK39N60W5,S1VF

Opis: MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK35S04K3L(T6L1,NQ

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Opis: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK35E10K3(S1SS-Q)

TK35E10K3(S1SS-Q)

Opis: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK35N65W,S1F

Opis: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK3R1A04PL,S4X

Opis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK380P65Y,RQ

Opis: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK3A60DA(Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.