Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice, wstępn > RN2705JE(TE85L,F)
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4970177Obraz RN2705JE(TE85L,F).Toshiba Semiconductor and Storage

RN2705JE(TE85L,F)

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RN2705JE(TE85L,F)
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RN2705JE(TE85L,F).pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Typ tranzystora
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    ESV
  • Seria
    -
  • Rezystor - podstawa nadajnika (R2)
    47 kOhms
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    2.2 kOhms
  • Moc - Max
    100mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOT-553
  • Inne nazwy
    RN2705JE(TE85LF)TR
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    200MHz
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    100nA (ICBO)
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100mA

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RN2705JE(TE85L,F)”.
RN2713JE(TE85L,F)

RN2713JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2712JE(TE85L,F)

RN2712JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2608(TE85L,F)

RN2608(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2702TE85LF

RN2702TE85LF

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2607(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2901(T5L,F,T)

RN2901(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN262GT2R

RN262GT2R

Opis: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RN2711JE(TE85L,F)

RN2711JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2711(TE85L,F)

RN2711(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN262CST2R

RN262CST2R

Opis: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.