Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - RF > RN262GT2R

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

1307159

Obraz RN262GT2R.

LAPIS Semiconductor

RN262GT2R

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

8000+

$0.099

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

RN262GT2R
Producent / marka

LAPIS Technology
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

1.RN262GT2R.pdf
2.RN262GT2R.pdf
Napięcie - Szczyt Rewers (Max)

30V
Dostawca urządzeń Pakiet

VMD2
Seria

-
Odporność @ Jeżeli F

1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz
Strata mocy (max)

100mW
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

2-SMD, Flat Lead
temperatura robocza

150°C (TJ)
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

10 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Typ diody

PIN - Single
szczegółowy opis

RF Diode PIN - Single 30V 100mA 100mW VMD2
Obecny - Max

100mA
Pojemność @ VR F

0.4pF @ 1V, 1MHz

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

What is an embedded system?

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „RN262GT2R”.

RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2601(TE85L,F)

RN2601(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2607(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2604(TE85L,F)

RN2604(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2702TE85LF

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2608(TE85L,F)

RN2608(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2603(TE85L,F)

RN2603(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2605(TE85L,F)

RN2605(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2602(TE85L,F)

RN2602(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN262CST2R

Opis: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.