Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice, wstępn > RN2605(TE85L,F)
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6399414Obraz RN2605(TE85L,F).Toshiba Semiconductor and Storage

RN2605(TE85L,F)

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.57
10+
$0.409
25+
$0.318
100+
$0.241
250+
$0.17
500+
$0.136
1000+
$0.104
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RN2605(TE85L,F)
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RN2605(TE85L,F).pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Typ tranzystora
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SM6
  • Seria
    -
  • Rezystor - podstawa nadajnika (R2)
    47 kOhms
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    2.2 kOhms
  • Moc - Max
    300mW
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    SC-74, SOT-457
  • Inne nazwy
    RN2605(TE85LF)CT
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    200MHz
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    100nA (ICBO)
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100mA

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RN2605(TE85L,F)”.
RN2607(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2604(TE85L,F)

RN2604(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2601(TE85L,F)

RN2601(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2608(TE85L,F)

RN2608(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2702TE85LF

RN2702TE85LF

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2510(TE85L,F)

RN2510(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2511(TE85L,F)

RN2511(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2507(TE85L,F)

RN2507(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2602(TE85L,F)

RN2602(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2603(TE85L,F)

RN2603(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2506(TE85L,F)

RN2506(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN262CST2R

RN262CST2R

Opis: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN25E-I/RM

RN25E-I/RM

Opis: RF TXRX MODULE BLUETOOTH SMA ANT

Producenci: Micrel / Microchip Technology
Na stanie
RFQ
RN25S-I/RM

RN25S-I/RM

Opis: RF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANT

Producenci: Micrel / Microchip Technology
Na stanie
RFQ
RN262GT2R

RN262GT2R

Opis: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.