Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice, wstępn > RN2712JE(TE85L,F)

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

3392111

Obraz RN2712JE(TE85L,F).

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2712JE(TE85L,F)

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

4000+

$0.088

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

RN2712JE(TE85L,F)
Producent / marka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

RN2712JE(TE85L,F).pdf
Napięcie - kolektor emiter (Max)

50V
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC

300mV @ 250µA, 5mA
Typ tranzystora

2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Dostawca urządzeń Pakiet

ESV
Seria

-
Rezystor - podstawa nadajnika (R2)

-
Rezystor - Podstawa (R1)

22 kOhms
Moc - Max

100mW
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

SOT-553
Inne nazwy

RN2712JE(TE85LF)TR
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Częstotliwość - Transition

200MHz
szczegółowy opis

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V
Obecny - Collector odcięcia (Max)

100nA (ICBO)
Obecny - Collector (Ic) (maks)

100mA

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „RN2712JE(TE85L,F)”.

RN2903,LF(CT

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2713JE(TE85L,F)

RN2713JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2902,LF(CT

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2901(T5L,F,T)

RN2901(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2902,LF

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2901FE(TE85L,F)

RN2901FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2902(T5L,F,T)

RN2902(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2711JE(TE85L,F)

RN2711JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2711(TE85L,F)

RN2711(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2902FE,LF(CT

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2902FE(T5L,F,T)

RN2902FE(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN2903,LF

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.