Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice, wstępn > RN1911FETE85LF
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1368826Obraz RN1911FETE85LF.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1911FETE85LF

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
4000+
$0.039
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RN1911FETE85LF
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RN1911FETE85LF.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Typ tranzystora
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    ES6
  • Seria
    -
  • Rezystor - podstawa nadajnika (R2)
    -
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    10 kOhms
  • Moc - Max
    100mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SOT-563, SOT-666
  • Inne nazwy
    RN1911FE(TE85L,F)
    RN1911FETE85LFTR
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    250MHz
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    100nA (ICBO)
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100mA

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RN1911FETE85LF”.
RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1965(TE85L,F)

RN1965(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1907FE,LF(CB

RN1907FE,LF(CB

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1910FE,LF(CT

RN1910FE,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1965FE(TE85L,F)

RN1965FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1910,LF(CT

RN1910,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1964FE(TE85L,F)

RN1964FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1961FE(TE85L,F)

RN1961FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1907,LF(CT

RN1907,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1964TE85LF

RN1964TE85LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1962TE85LF

RN1962TE85LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.