Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice, wstępn > RN1908(T5L,F,T)

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

1818456

Obraz RN1908(T5L,F,T).

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1908(T5L,F,T)

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1+

$0.42

10+

$0.302

25+

$0.235

100+

$0.178

250+

$0.126

500+

$0.101

1000+

$0.077

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

RN1908(T5L,F,T)
Producent / marka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

RN1908(T5L,F,T).pdf
Napięcie - kolektor emiter (Max)

50V
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC

300mV @ 250µA, 5mA
Typ tranzystora

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Dostawca urządzeń Pakiet

US6
Seria

-
Rezystor - podstawa nadajnika (R2)

47 kOhms
Rezystor - Podstawa (R1)

22 kOhms
Moc - Max

200mW
Opakowania

Cut Tape (CT)
Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Inne nazwy

RN1908(T5LFT)CT
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Częstotliwość - Transition

250MHz
szczegółowy opis

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Obecny - Collector odcięcia (Max)

100nA (ICBO)
Obecny - Collector (Ic) (maks)

100mA

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „RN1908(T5L,F,T)”.

RN1907,LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1907FE,LF(CB

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1906FE(T5L,F,T)

RN1906FE(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1906,LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1906FE,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1907,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1905,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1906(T5L,F,T)

RN1906(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1911FETE85LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1910,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1905FE,LF(CB

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1961FE(TE85L,F)

RN1961FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1910FE,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1906,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.