Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice, wstępn > RN1910,LF(CT

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

532405

Obraz RN1910,LF(CT.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1910,LF(CT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1+

$0.30

10+

$0.27

25+

$0.195

100+

$0.151

250+

$0.095

500+

$0.081

1000+

$0.055

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

RN1910,LF(CT
Producent / marka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

RN1910,LF(CT.pdf
Napięcie - kolektor emiter (Max)

50V
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC

300mV @ 250µA, 5mA
Typ tranzystora

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Dostawca urządzeń Pakiet

US6
Seria

-
Rezystor - podstawa nadajnika (R2)

-
Rezystor - Podstawa (R1)

4.7 kOhms
Moc - Max

100mW
Opakowania

Original-Reel®
Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Inne nazwy

RN1910(T5LFT)DKR
RN1910(T5LFT)DKR-ND
RN1910LF(CTDKR
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

10 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Częstotliwość - Transition

250MHz
szczegółowy opis

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount US6
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V
Obecny - Collector odcięcia (Max)

100nA (ICBO)
Obecny - Collector (Ic) (maks)

100mA

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „RN1910,LF(CT”.

RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1907FE,LF(CB

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1906,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1907,LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1910FE,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1907,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1911FETE85LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1906FE(T5L,F,T)

RN1906FE(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1906FE,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1962TE85LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1961FE(TE85L,F)

RN1961FE(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.