Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice, wstępn > RN1905,LF(CT
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6747294Obraz RN1905,LF(CT.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1905,LF(CT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.051
6000+
$0.044
15000+
$0.037
30000+
$0.035
75000+
$0.033
150000+
$0.029
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RN1905,LF(CT
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Typ tranzystora
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    US6
  • Seria
    -
  • Rezystor - podstawa nadajnika (R2)
    47 kOhms
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    2.2 kOhms
  • Moc - Max
    200mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Inne nazwy
    RN1905,LF (CT
    RN1905,LF(CB
    RN1905LF(CT
    RN1905LF(CT-ND
    RN1905LF(CTTR
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    250MHz
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    500nA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100mA
RN1902,LF(CT

RN1902,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1906(T5L,F,T)

RN1906(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1904FE,LF(CT

RN1904FE,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1906FE,LF(CT

RN1906FE,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1903,LF(CT

RN1903,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1906,LF

RN1906,LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1905(T5L,F,T)

RN1905(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1907FE,LF(CB

RN1907FE,LF(CB

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1902FE,LF(CT

RN1902FE,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1901FETE85LF

RN1901FETE85LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1904,LF(CT

RN1904,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1905FE,LF(CB

RN1905FE,LF(CB

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1907,LF(CT

RN1907,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1906FE(T5L,F,T)

RN1906FE(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1902T5LFT

RN1902T5LFT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1901,LF(CT

RN1901,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1906,LF(CT

RN1906,LF(CT

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1905,LF

RN1905,LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RN1907,LF

RN1907,LF

Opis: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść