Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze, wst > RN1104,LF(CT
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4907568Obraz RN1104,LF(CT.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104,LF(CT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.037
6000+
$0.034
15000+
$0.029
30000+
$0.026
75000+
$0.024
150000+
$0.02
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RN1104,LF(CT
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SSM
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RN1104,LF(CT.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Typ tranzystora
    NPN - Pre-Biased
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SSM
  • Seria
    -
  • Rezystor - podstawa nadajnika (R2)
    47 kOhms
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    47 kOhms
  • Moc - Max
    100mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SC-75, SOT-416
  • Inne nazwy
    RN1104,LF(CB
    RN1104LF(CB
    RN1104LF(CT
    RN1104LF(CTTR
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    250MHz
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    500nA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100mA

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RN1104,LF(CT”.
RN1106,LF(CT

RN1106,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1105,LF(CT

RN1105,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1102ACT(TPL3)

RN1102ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1103ACT(TPL3)

RN1103ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1102CT(TPL3)

RN1102CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1105ACT(TPL3)

RN1105ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1104ACT(TPL3)

RN1104ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1104T5LFT

RN1104T5LFT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1102,LF(CT

RN1102,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1103,LF(CT

RN1103,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1103CT(TPL3)

RN1103CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1102T5LFT

RN1102T5LFT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1105MFV,L3F

RN1105MFV,L3F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1103MFV(TPL3)

RN1103MFV(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1103MFV,L3F

RN1103MFV,L3F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1105CT(TPL3)

RN1105CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1104MFV,L3F

RN1104MFV,L3F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1102MFV,L3F

RN1102MFV,L3F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1106ACT(TPL3)

RN1106ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1104CT(TPL3)

RN1104CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.