Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze, wst > RN1102MFV,L3F
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5478717Obraz RN1102MFV,L3F.Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102MFV,L3F

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.27
10+
$0.243
25+
$0.175
100+
$0.136
250+
$0.086
500+
$0.073
1000+
$0.05
2500+
$0.045
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RN1102MFV,L3F
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RN1102MFV,L3F.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Typ tranzystora
    NPN - Pre-Biased
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    VESM
  • Seria
    -
  • Rezystor - podstawa nadajnika (R2)
    10 kOhms
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    10 kOhms
  • Moc - Max
    150mW
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    SOT-723
  • Inne nazwy
    RN1102MFV(TL3T)CT
    RN1102MFV(TL3T)CT-ND
    RN1102MFVL3F(BCT
    RN1102MFVL3F(BCT-ND
    RN1102MFVL3FCT
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    500nA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100mA

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RN1102MFV,L3F”.
RN1104MFV,L3F

RN1104MFV,L3F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1102CT(TPL3)

RN1102CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN104PJ7R5CS

RN104PJ7R5CS

Opis: RES ARRAY 4 RES 7.5 OHM 0804

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RN1102,LF(CT

RN1102,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1103MFV,L3F

RN1103MFV,L3F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1104,LF(CT

RN1104,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1101MFV,L3F

RN1101MFV,L3F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1104ACT(TPL3)

RN1104ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1103ACT(TPL3)

RN1103ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1101CT(TPL3)

RN1101CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN104PJ820CS

RN104PJ820CS

Opis: RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RN1102ACT(TPL3)

RN1102ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1104CT(TPL3)

RN1104CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1101,LF(CT

RN1101,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1101ACT(TPL3)

RN1101ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1103,LF(CT

RN1103,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1103CT(TPL3)

RN1103CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1102T5LFT

RN1102T5LFT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN104PJ750CS

RN104PJ750CS

Opis: RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Na stanie
RFQ
RN1103MFV(TPL3)

RN1103MFV(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.