Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze, wst > RN1102,LF(CT

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

5927106

Obraz RN1102,LF(CT.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102,LF(CT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.036

6000+

$0.032

15000+

$0.027

30000+

$0.025

75000+

$0.024

150000+

$0.021

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

RN1102,LF(CT
Producent / marka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

RN1102,LF(CT.pdf
Napięcie - kolektor emiter (Max)

50V
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC

300mV @ 250µA, 5mA
Typ tranzystora

NPN - Pre-Biased
Dostawca urządzeń Pakiet

SSM
Seria

-
Rezystor - podstawa nadajnika (R2)

10 kOhms
Rezystor - Podstawa (R1)

10 kOhms
Moc - Max

100mW
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

SC-75, SOT-416
Inne nazwy

RN1102,LF(CB
RN1102LF(CT
RN1102LF(CT-ND
RN1102LF(CTTR
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

16 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Częstotliwość - Transition

250MHz
szczegółowy opis

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V
Obecny - Collector odcięcia (Max)

500nA
Obecny - Collector (Ic) (maks)

100mA

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „RN1102,LF(CT”.

RN1102T5LFT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1104,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1103,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN104PJ750CS

Opis: RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Na stanie

RN104PJ472CS

Opis: RES ARRAY 4 RES 4.7K OHM 0804

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Na stanie

RN104PJ620CS

Opis: RES ARRAY 4 RES 62 OHM 0804

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Na stanie

RN1103MFV,L3F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1101,LF(CT

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1102MFV,L3F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1103MFV(TPL3)

RN1103MFV(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN104PJ3R0CS

Opis: RES ARRAY 4 RES 3 OHM 0804

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Na stanie

RN1103ACT(TPL3)

RN1103ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN104PJ820CS

Opis: RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Na stanie

RN1101MFV,L3F

Opis: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1102CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1102ACT(TPL3)

RN1102ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN104PJ7R5CS

Opis: RES ARRAY 4 RES 7.5 OHM 0804

Producenci: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Na stanie

RN1101CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1103CT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

RN1101ACT(TPL3)

RN1101ACT(TPL3)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.