Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 6A80G R0G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5391289

6A80G R0G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2000+
$0.173
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    6A80G R0G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 6A R-6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1V @ 6A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    800V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    R-6
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    R6, Axial
  • Inne nazwy
    6A80G R0G-ND
    6A80GR0G
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 800V 6A Through Hole R-6
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 800V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    6A
  • Pojemność @ VR F
    60pF @ 4V, 1MHz
6A8-T

6A8-T

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
6A80GHR0G

6A80GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
6A8-TP

6A8-TP

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
VS-10ETS12SLHM3

VS-10ETS12SLHM3

Opis: DIODES - D2PAK-E3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
6A8

6A8

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
S1BHM2G

S1BHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
BAS3005A02VH6327XTSA1

BAS3005A02VH6327XTSA1

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
1N4002_NL

1N4002_NL

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
6A80GHA0G

6A80GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
FMB-G24H

FMB-G24H

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO220F-2L

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
FMXK-1086S

FMXK-1086S

Opis: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F-2L

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
MPG06K-E3/73

MPG06K-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A MPG06

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
6A80G B0G

6A80G B0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
1N5627GP-E3/54

1N5627GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
6A80GHB0G

6A80GHB0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
1N5391G-T

1N5391G-T

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO15

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
SF67GHR0G

SF67GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 500V 6A DO201AD

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
CS3G-E3/I

CS3G-E3/I

Opis: DIODE GPP 400V 3.0A DO-214AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
6A80G A0G

6A80G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
6A8TA

6A8TA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść