Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 6A80GHR0G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2403546

6A80GHR0G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2000+
$0.173
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    6A80GHR0G
  • Producent / marka
    Taiwan Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 6A R-6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    6A80GHR0G.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1V @ 6A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    800V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    R-6
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    R6, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 800V 6A Through Hole R-6
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 800V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    6A
  • Pojemność @ VR F
    60pF @ 4V, 1MHz

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „6A80GHR0G”.
GP10ME-E3/53

GP10ME-E3/53

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
R5011210XXWA

R5011210XXWA

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO205

Producenci: Powerex, Inc.
Na stanie
RFQ
VSKE250-12

VSKE250-12

Opis: DIODE GP 1.2KV 250A MAGNAPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
VS-SD1100C32J

VS-SD1100C32J

Opis: DIODE GP 3.2KV 1100A B43 PUK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
6A80G R0G

6A80G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
6A80GHB0G

6A80GHB0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
ES15GLW RQG

ES15GLW RQG

Opis: DIODE, SUPER FAST

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
CD0603-B0140R

CD0603-B0140R

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA 0603

Producenci: Bourns, Inc.
Na stanie
RFQ
STTH30L06PI

STTH30L06PI

Opis: DIODE GEN PURP 600V 30A DOP3I

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
6A80GHA0G

6A80GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
C3D03060E-TR

C3D03060E-TR

Opis: DIODE SCHOTTKY 600V 11.5A TO252

Producenci: Cree Wolfspeed
Na stanie
RFQ
6A80G A0G

6A80G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SFF1002GAHC0G

SFF1002GAHC0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 10A ITO220AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
6A8-TP

6A8-TP

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
6A80G B0G

6A80G B0G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
6A8-T

6A8-T

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
RGP30B-E3/73

RGP30B-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYG22DHE3/TR

BYG22DHE3/TR

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
6A8

6A8

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
RFQ
6A8TA

6A8TA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.