Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N5627GP-E3/54
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4892165Obraz 1N5627GP-E3/54.Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5627GP-E3/54

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5627GP-E3/54
  • Producent / marka
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1N5627GP-E3/54.pdf
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    3A
  • Napięcie - Podział
    DO-201AD
  • Seria
    SUPERECTIFIER®
  • Stan RoHS
    Cut Tape (CT)
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    40pF @ 4V, 1MHz
  • Polaryzacja
    DO-201AD, Axial
  • Inne nazwy
    1N5627GP-E3/54GICT
  • Temperatura pracy - złącze
    3µs
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    1N5627GP-E3/54
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
  • Diode Configuration
    5µA @ 800V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1V @ 3A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    800V
  • Pojemność @ VR F
    -65°C ~ 175°C

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „1N5627GP-E3/54”.
1N5626-TAP

1N5626-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5627GP-E3/73

1N5627GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
1N5632

1N5632

Opis: TVS DIODE

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5629A

1N5629A

Opis: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5629

1N5629

Opis: TVS DIODE

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5625GP-E3/54

1N5625GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
1N5627-TAP

1N5627-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5625GP-E3/73

1N5625GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURPOSE DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5626-TR

1N5626-TR

Opis: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5627GPHE3/54

1N5627GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5627-TR

1N5627-TR

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5626GP-E3/54

1N5626GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
1N5626GP-E3/73

1N5626GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURPOSE DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5631

1N5631

Opis: TVS DIODE

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5629

1N5629

Opis: TVS DIODE 5.5V 10.8V DO13

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
RFQ
1N5626GPHE3/54

1N5626GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5625GPHE3/54

1N5625GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
1N5631A

1N5631A

Opis: TVS DIODE 7.02V 12.1V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5630

1N5630

Opis: TVS DIODE

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
1N5630A

1N5630A

Opis: TVS DIODE 6.4V 11.3V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.