Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N5627-TAP
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5733121Obraz 1N5627-TAP.Electro-Films (EFI) / Vishay

1N5627-TAP

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.382
5000+
$0.364
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5627-TAP
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1V @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    800V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOD-64
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    7.5µs
  • Opakowania
    Tape & Box (TB)
  • Package / Case
    SOD-64, Axial
  • Inne nazwy
    1N5627-TAP-ND
    1N5627-TAPGITB
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Avalanche
  • szczegółowy opis
    Diode Avalanche 800V 3A Through Hole SOD-64
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 200V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    3A
  • Pojemność @ VR F
    60pF @ 4V, 1MHz
1N5625GP-E3/54

1N5625GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
1N5626GP-E3/54

1N5626GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
1N5627GP-E3/73

1N5627GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
1N5629A

1N5629A

Opis: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5625-TR

1N5625-TR

Opis: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5626GPHE3/54

1N5626GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5625-TAP

1N5625-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5627GP-E3/54

1N5627GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
1N5625GPHE3/54

1N5625GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5626-TAP

1N5626-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5627-TR

1N5627-TR

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5629

1N5629

Opis: TVS DIODE 5.5V 10.8V DO13

Producenci: Hamlin / Littelfuse
Na stanie
1N5627GPHE3/54

1N5627GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5629

1N5629

Opis: TVS DIODE

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5631

1N5631

Opis: TVS DIODE

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5626-TR

1N5626-TR

Opis: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5626GP-E3/73

1N5626GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURPOSE DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5630

1N5630

Opis: TVS DIODE

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5625GP-E3/73

1N5625GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURPOSE DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5630A

1N5630A

Opis: TVS DIODE 6.4V 11.3V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść