Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - Zener - Pojedynczy > JAN1N6490US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4399883

JAN1N6490US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6490US
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JAN1N6490US.pdf
  • Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz)
    5.1V
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.5V @ 1A
  • Tolerancja
    ±5%
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D-5A
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/406
  • Moc - Max
    1.5W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, A
  • Inne nazwy
    1086-15992
    1086-15992-MIL
    Q11398485
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Impedancja (Max) (Zzt)
    7 Ohms
  • szczegółowy opis
    Zener Diode 5.1V 1.5W ±5% Through Hole D-5A
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 1V

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N6490US”.
JAN1N6490

JAN1N6490

Opis: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6621

JAN1N6621

Opis: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

Opis: TVS DIODE 14CDIP

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6475US

JAN1N6475US

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6473US

JAN1N6473US

Opis: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N649-1

JAN1N649-1

Opis: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

Opis: TVS DIODE 14CDIP

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6474

JAN1N6474

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6476US

JAN1N6476US

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Opis: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Opis: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6622

JAN1N6622

Opis: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6474US

JAN1N6474US

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6485US

JAN1N6485US

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6476

JAN1N6476

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6620

JAN1N6620

Opis: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.