Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JAN1N649-1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1601822

JAN1N649-1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N649-1
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JAN1N649-1.pdf
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    400mA
  • Napięcie - Podział
    DO-35
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/240
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Polaryzacja
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Inne nazwy
    1086-15995
    1086-15995-MIL
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    JAN1N649-1
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35
  • Diode Configuration
    50nA @ 600V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1V @ 400mA
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    600V
  • Pojemność @ VR F
    -65°C ~ 175°C

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N649-1”.
JAN1N6621

JAN1N6621

Opis: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6476US

JAN1N6476US

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6490

JAN1N6490

Opis: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Opis: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

Opis: TVS DIODE 14CDIP

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6474US

JAN1N6474US

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6476

JAN1N6476

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6473

JAN1N6473

Opis: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6473US

JAN1N6473US

Opis: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6620

JAN1N6620

Opis: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6472US

JAN1N6472US

Opis: TVS DIODE 15V 26.5V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

Opis: TVS DIODE 14CDIP

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Opis: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6485US

JAN1N6485US

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6474

JAN1N6474

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6490US

JAN1N6490US

Opis: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6475US

JAN1N6475US

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.