Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JAN1N6472US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6621041

JAN1N6472US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$24.158
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6472US
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 15V 26.5V GMELF
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JAN1N6472US.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    15V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    26.5V
  • Napięcie - podziały (min)
    16.4V
  • Kanały jednokierunkowe
    1
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    G-MELF (D-5C)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/552
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, G
  • Inne nazwy
    1086-2289
    1086-2289-MIL
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    322A (8/20µs)
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Aplikacje
    General Purpose

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N6472US”.
JAN1N6469US

JAN1N6469US

Opis: TVS DIODE 5V 9V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6470US

JAN1N6470US

Opis: TVS DIODE 6V 11V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6471US

JAN1N6471US

Opis: TVS DIODE 12V 22.6V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6473US

JAN1N6473US

Opis: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6474

JAN1N6474

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6469

JAN1N6469

Opis: TVS DIODE 5V 9V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6474US

JAN1N6474US

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6485US

JAN1N6485US

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N647-1

JAN1N647-1

Opis: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6470

JAN1N6470

Opis: TVS DIODE 6VWM 11VC GPKG AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6473

JAN1N6473

Opis: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6476

JAN1N6476

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6476US

JAN1N6476US

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6472

JAN1N6472

Opis: TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N649-1

JAN1N649-1

Opis: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6468US

JAN1N6468US

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V B SQ-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6471

JAN1N6471

Opis: TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6475US

JAN1N6475US

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6468

JAN1N6468

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.