Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JAN1N6622
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2259051

JAN1N6622

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6622
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JAN1N6622.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.6V @ 2A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    660V
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    30ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    A, Axial
  • Inne nazwy
    1086-2301
    1086-2301-MIL
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 660V 2A Through Hole
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    500nA @ 660V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    2A
  • Pojemność @ VR F
    10pF @ 10V, 1MHz

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N6622”.
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Opis: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6623US

JAN1N6623US

Opis: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6490US

JAN1N6490US

Opis: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6625

JAN1N6625

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6625U

JAN1N6625U

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6624

JAN1N6624

Opis: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6621

JAN1N6621

Opis: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6490

JAN1N6490

Opis: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Opis: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6620

JAN1N6620

Opis: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6623U

JAN1N6623U

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6624US

JAN1N6624US

Opis: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

Opis: TVS DIODE 14CDIP

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6623

JAN1N6623

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6622US

JAN1N6622US

Opis: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

Opis: TVS DIODE 14CDIP

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6624U

JAN1N6624U

Opis: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.