Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JAN1N6161AUS
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5326506

JAN1N6161AUS

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6161AUS
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 47.1VWM 85.3VC CPKG
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    58.9V
  • Napięcie - Breakover
    1
  • Napięcie - podziały (min)
    47.1V
  • Napięcie - Podział
    C, SQ-MELF
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    General Purpose
  • Ochrona linii zasilających
    1500W (1.5kW)
  • Moc - Peak Pulse
    17.6A
  • Polaryzacja
    SQ-MELF, C
  • Inne nazwy
    1086-19725
    1086-19725-MIL
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    JAN1N6161AUS
  • Opis
    TVS DIODE 47.1VWM 85.3VC CPKG
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    85.3V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No
JAN1N6159AUS

JAN1N6159AUS

Opis: TVS DIODE 38.8VWM 70.1VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6160AUS

JAN1N6160AUS

Opis: TVS DIODE 42.6VWM 77VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6162A

JAN1N6162A

Opis: TVS DIODE 51.7V 97.1V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6160

JAN1N6160

Opis: TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6163AUS

JAN1N6163AUS

Opis: TVS DIODE 56VWM 103.1VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6161US

JAN1N6161US

Opis: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6163A

JAN1N6163A

Opis: TVS DIODE 56V 103.1V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6164

JAN1N6164

Opis: TVS DIODE 62.2V 118.44V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6163US

JAN1N6163US

Opis: TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6161

JAN1N6161

Opis: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6162

JAN1N6162

Opis: TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6159A

JAN1N6159A

Opis: TVS DIODE 38.8V 70.1V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6161A

JAN1N6161A

Opis: TVS DIODE 47.1V 85.3V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6160A

JAN1N6160A

Opis: TVS DIODE 42.6V 77V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6160US

JAN1N6160US

Opis: TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6159US

JAN1N6159US

Opis: TVS DIODE 38.8VWM 73.61VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6159

JAN1N6159

Opis: TVS DIODE 38.8VWM 73.61VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6163

JAN1N6163

Opis: TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6162AUS

JAN1N6162AUS

Opis: TVS DIODE 51.7VWM 97.1VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6162US

JAN1N6162US

Opis: TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść