Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JAN1N6161A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6304862Obraz JAN1N6161A.Microsemi

JAN1N6161A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$23.58
10+
$21.807
25+
$20.039
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6161A
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 47.1V 85.3V C AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JAN1N6161A.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    47.1V
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    85.3V
  • Napięcie - podziały (min)
    58.9V
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    C, Axial
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    G, Axial
  • Inne nazwy
    1086-2253
    1086-2253-MIL
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    17.6A
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    1
  • Aplikacje
    General Purpose

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N6161A”.
JAN1N6161US

JAN1N6161US

Opis: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6163A

JAN1N6163A

Opis: TVS DIODE 56V 103.1V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6160A

JAN1N6160A

Opis: TVS DIODE 42.6V 77V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6159A

JAN1N6159A

Opis: TVS DIODE 38.8V 70.1V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6159AUS

JAN1N6159AUS

Opis: TVS DIODE 38.8VWM 70.1VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6162US

JAN1N6162US

Opis: TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6158US

JAN1N6158US

Opis: TVS DIODE 35.8VWM 67.83VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6163US

JAN1N6163US

Opis: TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6159

JAN1N6159

Opis: TVS DIODE 38.8VWM 73.61VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6162

JAN1N6162

Opis: TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6163

JAN1N6163

Opis: TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6161

JAN1N6161

Opis: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6159US

JAN1N6159US

Opis: TVS DIODE 38.8VWM 73.61VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6161AUS

JAN1N6161AUS

Opis: TVS DIODE 47.1VWM 85.3VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6160

JAN1N6160

Opis: TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6163AUS

JAN1N6163AUS

Opis: TVS DIODE 56VWM 103.1VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6162AUS

JAN1N6162AUS

Opis: TVS DIODE 51.7VWM 97.1VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6160US

JAN1N6160US

Opis: TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6160AUS

JAN1N6160AUS

Opis: TVS DIODE 42.6VWM 77VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N6162A

JAN1N6162A

Opis: TVS DIODE 51.7V 97.1V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.