Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JAN1N6159US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2601313

JAN1N6159US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6159US
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 38.8VWM 73.61VC CPKG
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    46.08V
  • Napięcie - Breakover
    1
  • Napięcie - podziały (min)
    38.8V
  • Napięcie - Podział
    C, SQ-MELF
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    General Purpose
  • Ochrona linii zasilających
    1500W (1.5kW)
  • Moc - Peak Pulse
    20.33A
  • Polaryzacja
    SQ-MELF, C
  • Inne nazwy
    1086-19714
    1086-19714-MIL
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    JAN1N6159US
  • Opis
    TVS DIODE 38.8VWM 73.61VC CPKG
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    73.61V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No
JAN1N6157A

JAN1N6157A

Opis: TVS DIODE 32.7V 59.1V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6161AUS

JAN1N6161AUS

Opis: TVS DIODE 47.1VWM 85.3VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6161US

JAN1N6161US

Opis: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6162

JAN1N6162

Opis: TVS DIODE 51.7VWM 101.96VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6157AUS

JAN1N6157AUS

Opis: TVS DIODE 32.7VWM 59.1VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6159A

JAN1N6159A

Opis: TVS DIODE 38.8V 70.1V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6160

JAN1N6160

Opis: TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6158US

JAN1N6158US

Opis: TVS DIODE 35.8VWM 67.83VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6158AUS

JAN1N6158AUS

Opis: TVS DIODE 35.8VWM 64.6VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6158

JAN1N6158

Opis: TVS DIODE 35.8VWM 67.83VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6157US

JAN1N6157US

Opis: TVS DIODE 32.7VWM 62.06VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6159

JAN1N6159

Opis: TVS DIODE 38.8VWM 73.61VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6159AUS

JAN1N6159AUS

Opis: TVS DIODE 38.8VWM 70.1VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6161A

JAN1N6161A

Opis: TVS DIODE 47.1V 85.3V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6161

JAN1N6161

Opis: TVS DIODE 47.1VWM 89.57VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6160AUS

JAN1N6160AUS

Opis: TVS DIODE 42.6VWM 77VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6162A

JAN1N6162A

Opis: TVS DIODE 51.7V 97.1V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6158A

JAN1N6158A

Opis: TVS DIODE 35.8V 64.6V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6160A

JAN1N6160A

Opis: TVS DIODE 42.6V 77V C AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6160US

JAN1N6160US

Opis: TVS DIODE 42.6VWM 80.85VC CPKG

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść