Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APTC80H29T1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3261573

APTC80H29T1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APTC80H29T1G
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APTC80H29T1G.pdf
    2.APTC80H29T1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 1mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SP1
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    290 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Moc - Max
    156W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SP1
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2254pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    4 N-Channel (H-Bridge)
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 15A 156W Chassis Mount SP1
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    15A

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APTC80H29T1G”.
APTC90DAM60T1G

APTC90DAM60T1G

Opis: MOSFET N-CH 900V 59A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80H29T3G

APTC80H29T3G

Opis: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC90AM60SCTG

APTC90AM60SCTG

Opis: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC90DAM60CT1G

APTC90DAM60CT1G

Opis: MOSFET N-CH 900V 59A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80TA15PG

APTC80TA15PG

Opis: MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80DA15T1G

APTC80DA15T1G

Opis: MOSFET N-CH 800V 28A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80DDA15T3G

APTC80DDA15T3G

Opis: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80H29SCTG

APTC80H29SCTG

Opis: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80AM75SCG

APTC80AM75SCG

Opis: MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80DDA29T3G

APTC80DDA29T3G

Opis: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80DSK15T3G

APTC80DSK15T3G

Opis: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80H15T3G

APTC80H15T3G

Opis: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC90DDA12T1G

APTC90DDA12T1G

Opis: MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC90AM602G

APTC90AM602G

Opis: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80TDU15PG

APTC80TDU15PG

Opis: MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80DSK29T3G

APTC80DSK29T3G

Opis: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80H15T1G

APTC80H15T1G

Opis: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80A15T1G

APTC80A15T1G

Opis: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80SK15T1G

APTC80SK15T1G

Opis: MOSFET N-CH 800V 28A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC90AM60T1G

APTC90AM60T1G

Opis: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.