Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APTC90AM60SCTG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
958202

APTC90AM60SCTG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$123.803
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APTC90AM60SCTG
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    APTC90AM60SCTG.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 6mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SP4
  • Seria
    CoolMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    60 mOhm @ 52A, 10V
  • Moc - Max
    462W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SP4
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    13600pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    540nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Cecha FET
    Super Junction
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    900V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP4
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    59A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APTC90AM60SCTG”.
APTC80TDU15PG

APTC80TDU15PG

Opis: MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC90AM60T1G

APTC90AM60T1G

Opis: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80H29T3G

APTC80H29T3G

Opis: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80TA15PG

APTC80TA15PG

Opis: MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80H29T1G

APTC80H29T1G

Opis: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80H15T1G

APTC80H15T1G

Opis: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC90H12SCTG

APTC90H12SCTG

Opis: MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80H29SCTG

APTC80H29SCTG

Opis: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC90DSK12T1G

APTC90DSK12T1G

Opis: MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC90DAM60CT1G

APTC90DAM60CT1G

Opis: MOSFET N-CH 900V 59A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80SK15T1G

APTC80SK15T1G

Opis: MOSFET N-CH 800V 28A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC90HM60T3G

APTC90HM60T3G

Opis: MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC90AM602G

APTC90AM602G

Opis: MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC90DDA12T1G

APTC90DDA12T1G

Opis: MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC90H12T1G

APTC90H12T1G

Opis: MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC90SKM60CT1G

APTC90SKM60CT1G

Opis: MOSFET N-CH 900V 59A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80DSK29T3G

APTC80DSK29T3G

Opis: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC90DAM60T1G

APTC90DAM60T1G

Opis: MOSFET N-CH 900V 59A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC90H12T2G

APTC90H12T2G

Opis: MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80H15T3G

APTC80H15T3G

Opis: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.