Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APTC80DA15T1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4963033

APTC80DA15T1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APTC80DA15T1G
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 28A SP1
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APTC80DA15T1G.pdf
    2.APTC80DA15T1G.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 2mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SP1
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    150 mOhm @ 14A, 10V
  • Strata mocy (max)
    277W (Tc)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SP1
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4507pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    180nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    800V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 800V 28A (Tc) 277W (Tc) Chassis Mount SP1
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    28A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APTC80DA15T1G”.
APTC80H29SCTG

APTC80H29SCTG

Opis: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC60TAM24TPG

APTC60TAM24TPG

Opis: MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80DSK15T3G

APTC80DSK15T3G

Opis: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC60VDAM24T3G

APTC60VDAM24T3G

Opis: MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC60VDAM45T1G

APTC60VDAM45T1G

Opis: MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80H29T1G

APTC80H29T1G

Opis: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80AM75SCG

APTC80AM75SCG

Opis: MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC60TAM21SCTPAG

APTC60TAM21SCTPAG

Opis: MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80DSK29T3G

APTC80DSK29T3G

Opis: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80DDA29T3G

APTC80DDA29T3G

Opis: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80A15T1G

APTC80A15T1G

Opis: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80A10SCTG

APTC80A10SCTG

Opis: MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80DDA15T3G

APTC80DDA15T3G

Opis: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC60TDUM35PG

APTC60TDUM35PG

Opis: MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80A15SCTG

APTC80A15SCTG

Opis: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80H15T3G

APTC80H15T3G

Opis: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80H29T3G

APTC80H29T3G

Opis: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC60TAM35PG

APTC60TAM35PG

Opis: MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80SK15T1G

APTC80SK15T1G

Opis: MOSFET N-CH 800V 28A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APTC80H15T1G

APTC80H15T1G

Opis: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.