Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - moduły > APT50GF120JRDQ3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
7003077Obraz APT50GF120JRDQ3.Microsemi

APT50GF120JRDQ3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$67.56
10+
$63.583
30+
$59.609
100+
$56.827
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT50GF120JRDQ3
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 120A 521W SOT227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    3V @ 15V, 75A
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    ISOTOP®
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    521W
  • Package / Case
    ISOTOP
  • Inne nazwy
    APT50GF120JRDQ3MI
    APT50GF120JRDQ3MI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Termistor NTC
    No
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce
    5.32nF @ 25V
  • Wkład
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT
  • szczegółowy opis
    IGBT Module NPT Single 1200V 120A 521W Chassis Mount ISOTOP®
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    750µA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    120A
  • Konfiguracja
    Single
APT50GN120L2DQ2G

APT50GN120L2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 134A 543W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50DL60HJ

APT50DL60HJ

Opis: MOD DIODE 600V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50DF170HJ

APT50DF170HJ

Opis: MOD DIODE 1700V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GF120B2RG

APT50GF120B2RG

Opis: IGBT 1200V 135A 781W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GN120B2G

APT50GN120B2G

Opis: IGBT 1200V 134A 543W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GP60B2DQ2G

APT50GP60B2DQ2G

Opis: IGBT 600V 150A 625W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GF60JU3

APT50GF60JU3

Opis: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5024BLLG

APT5024BLLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50DL120HJ

APT50DL120HJ

Opis: MOD DIODE 1200V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5020BNFR

APT5020BNFR

Opis: MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5018BLLG

APT5018BLLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 27A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5025BN

APT5025BN

Opis: MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GN60BG

APT50GN60BG

Opis: IGBT 600V 107A 366W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GF60JCU2

APT50GF60JCU2

Opis: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5022BNG

APT5022BNG

Opis: MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5020BN

APT5020BN

Opis: MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GF60JU2

APT50GF60JU2

Opis: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GN60BDQ2G

APT50GN60BDQ2G

Opis: IGBT 600V 107A 366W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GLQ65JU2

APT50GLQ65JU2

Opis: POWER MODULE - IGBT

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GF120LRG

APT50GF120LRG

Opis: IGBT 1200V 135A 781W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść