Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT50GN120B2G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3221309Obraz APT50GN120B2G.Microsemi

APT50GN120B2G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$11.85
10+
$10.774
30+
$9.966
120+
$9.158
270+
$8.35
510+
$7.811
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT50GN120B2G
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 134A 543W TO-247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT50GN120B2G.pdf
    2.APT50GN120B2G.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.1V @ 15V, 50A
  • Stan testu
    800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    28ns/320ns
  • Przełączanie Energy
    4495µJ (off)
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    543W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3 Variant
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT, Trench Field Stop
  • brama Charge
    315nC
  • szczegółowy opis
    IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    150A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    134A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT50GN120B2G”.
APT50GLQ65JU2

APT50GLQ65JU2

Opis: POWER MODULE - IGBT

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT50GP60B2DQ2G

APT50GP60B2DQ2G

Opis: IGBT 600V 150A 625W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT50GN60BDQ2G

APT50GN60BDQ2G

Opis: IGBT 600V 107A 366W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT50DL120HJ

APT50DL120HJ

Opis: MOD DIODE 1200V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT50GF120JRDQ3

APT50GF120JRDQ3

Opis: IGBT 1200V 120A 521W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT50GF60JU2

APT50GF60JU2

Opis: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT50GF120B2RG

APT50GF120B2RG

Opis: IGBT 1200V 135A 781W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT50GF60JU3

APT50GF60JU3

Opis: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT50GF120LRG

APT50GF120LRG

Opis: IGBT 1200V 135A 781W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT50GF60JCU2

APT50GF60JCU2

Opis: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT50GN120L2DQ2G

APT50GN120L2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 134A 543W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT50GP60JDQ2

APT50GP60JDQ2

Opis: IGBT 600V 100A 329W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT50GR120B2

APT50GR120B2

Opis: IGBT 1200V 117A 694W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT50GP60J

APT50GP60J

Opis: IGBT 600V 100A 329W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT50GP60LDLG

APT50GP60LDLG

Opis: IGBT 600V 150A 625W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT50DF170HJ

APT50DF170HJ

Opis: MOD DIODE 1700V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT50GR120JD30

APT50GR120JD30

Opis: IGBT 1200V 84A 417W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT50GP60BG

APT50GP60BG

Opis: IGBT 600V 100A 625W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT50GN60BG

APT50GN60BG

Opis: IGBT 600V 107A 366W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT50DL60HJ

APT50DL60HJ

Opis: MOD DIODE 600V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.