Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT5020BN
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
754027

APT5020BN

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT5020BN
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247AD
  • Seria
    POWER MOS IV®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    200 mOhm @ 14A, 10V
  • Strata mocy (max)
    360W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3500pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    210nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    500V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 500V 28A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    28A (Tc)
APT5012JN

APT5012JN

Opis: MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5022BNG

APT5022BNG

Opis: MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5014B2VRG

APT5014B2VRG

Opis: MOSFET N-CH 500V T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5024BLLG

APT5024BLLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5018BLLG

APT5018BLLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 27A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5016BFLLG

APT5016BFLLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50DL60HJ

APT50DL60HJ

Opis: MOD DIODE 600V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5014BLLG

APT5014BLLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 35A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5020BNFR

APT5020BNFR

Opis: MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GF120JRDQ3

APT50GF120JRDQ3

Opis: IGBT 1200V 120A 521W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5014SLLG

APT5014SLLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50DF170HJ

APT50DF170HJ

Opis: MOD DIODE 1700V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5010LFLLG

APT5010LFLLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5025BN

APT5025BN

Opis: MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5016BLLG

APT5016BLLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT50GF120B2RG

APT50GF120B2RG

Opis: IGBT 1200V 135A 781W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5010LLLG

APT5010LLLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GF120LRG

APT50GF120LRG

Opis: IGBT 1200V 135A 781W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50DL120HJ

APT50DL120HJ

Opis: MOD DIODE 1200V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5014SLLG/TR

APT5014SLLG/TR

Opis: MOSFET N-CH 500V 35A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść